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结构设计：精度与承重的平衡艺术半导体机架的结构设计需要在承重能力与精密定位之间找到完美平衡点。根据SEMI国际标准，晶圆传送区域的平面度误差需控制在±0.1mm/m以内，这···

采用270°旋转式电子枪（e-gun），单枪最大功率6kW，束斑直径0.5-2mm可调坩埚容量：6个石墨坩埚（直径50mm），石墨坩埚作为关键半导体零部件，采用高密度等静压成型工艺，支···

晶圆尺寸：300mm（兼容200mm）沉积均匀性：±1%（片内，3σ），±2%（片间）沉积速率：SiO?约500-1000?/min，Si?N?约200-500?/min膜厚控制精度：±0.5%（50?-5μm范围···

核心技术优势总结：FinFET场景：多区压力控制+终点检测 → ±1 nm栅极均匀性3D NAND场景：多垫协同+分步短抛 → 缺陷率降低60%混合键合场景：纳米级平整度控制 → <2 ?···

晶圆尺寸：支持200mm/300mm晶圆工艺温度范围：200°C - 550°C沉积均匀性：≤±1.5%（3σ，整片晶圆）沉积速率：0.1 - 500 nm/min（取决于材料类型）真空系统：极限真空度≤···

晶圆尺寸：支持150mm和200mm晶圆抛光头数量：最多4个独立抛光头抛光垫尺寸：200mm直径转速范围：50-150 rpm（抛光台），50-150 rpm（抛光头）压力范围：1-8 psi（可精确控制···

Centura? Epi 200mm系统提供卓越的外延生长性能，主要技术参数如下：晶圆尺寸：支持150mm和200mm晶圆外延层厚度范围：单次生长可实现从<20μm到150μm的薄膜和厚膜沉积···